一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗、腐蚀制绒；(2)将硅片的正面和背面分别进行Si离子注入，在正反两面上分别形成一层非晶硅薄膜；(3)将硅片正面的非晶硅薄膜进行两次B离子注入；(4)将硅片背面的非晶硅薄膜进行B离子注入；(5)将硅片背面的非晶硅薄膜进行P离子注入；(6)热激活处理；(7)在硅片的正反两面设置透明导电薄膜层；(8)丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极。本发明获得了高质量的晶体硅异质结太阳能电池，形成了高质量的非晶硅薄膜层和极少缺陷的一体化的晶硅、非晶硅异质结叠加界面，提高了钝化效果并有效地降低了漏电流。

主权项

一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将N型单晶硅硅片进行表面化学清洗、腐蚀制绒；(2) 将上述硅片的正面和背面分别进行Si离子注入，在正反两面上分别形成一层非晶硅薄膜；(3) 将上述硅片正面的非晶硅薄膜进行两次B离子注入；对硅片正面的非晶硅薄膜的底层进行第一次B离子注入，形成本征非晶硅薄膜层；再进行第二次B离子注入，在非晶硅薄膜的表层形成P型非晶硅薄膜层；至此在上述硅片的正面形成了P/i/N结构的异质结；(4) 将上述硅片背面的非晶硅薄膜进行B离子注入；在非晶硅薄膜的底层形成本征非晶硅薄膜层；(5) 将上述硅片背面的非晶硅薄膜进行P离子注入；在非晶硅薄膜的表层形成N+型非晶硅层；至此在上述硅片的背面形成了N/i/N+结构的异质结；(6) 将上述掺杂的非晶硅薄膜进行热激活处理；(7) 在上述硅片的正反两面设置透明导电薄膜层；(8) 丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极，即可得到晶体硅异质结太阳能电池。