发明名称 |
一种形成超浅结面的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种形成超浅结面的方法,包括以下步骤:(1)提供一经过侧墙刻蚀工艺后形成的半导体结构;(2)对所述半导体结构进行氮源种离子注入工艺后,采用轻掺杂漏极工艺于所述半导体结构上注入硼离子;(3)继续重掺杂离子注入工艺和退火工艺,于所述半导体结构上形成具有超浅结面的源漏区。本发明引入新的源种---N28,由于N28可以降低硼原子在硅衬底中的扩散,且氮原子不会与硅原子形成共价键,所以克服了碳辅助注入时多晶硅栅耗尽层问题加重的问题,同时可以形成超浅结面,且工艺步骤简单。 |
申请公布号 |
CN103227114B |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201310119895.6 |
申请日期 |
2013.04.08 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
肖天金 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
竺路玲 |
主权项 |
一种形成超浅结面的方法,应用于形成PMOS的离子注入工艺中,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:提供一经过栅极侧墙刻蚀工艺和Halo离子注入工艺后形成的半导体结构;步骤2:对所述半导体结构进行氮源种辅助离子注入工艺后,采用轻掺杂漏极工艺于所述半导体结构上注入硼离子;步骤3:继续重掺杂离子注入工艺和退火工艺,于所述半导体结构上形成具有超浅结面的源漏区;其中,所述半导体结构包括硅衬底和栅极结构,所述栅极结构位于所述硅衬底的上表面,且该硅衬底中设置有浅沟槽隔离区和有源区,所述有源区位于所述浅沟槽隔离区与所述栅极结构之间。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |