| 发明名称 | GaN基LED外延结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制备方法，包括：提供生长衬底，在生长衬底上生长缓冲层；在缓冲层上依次生长未掺杂的GaN层及N型GaN层；在N型GaN层上生长InGaN/GaN超晶格量子阱结构；在InGaN/GaN超晶格量子阱结构上生长InGaN/GaN多量子阱发光层结构；生长InGaN/GaN多量子阱发光层结构的过程中通入H<sub>2</sub>，生长InGaN势阱的过程中通入的H<sub>2</sub>的流量远小于生长GaN势垒过程中通入的H<sub>2</sub>的流量；在InGaN/GaN多量子阱发光层结构上生长P型电子阻挡层；在P型电子阻挡层上生长P型GaN层。通过控制InGaN/GaN多量子阱发光层结构生长过程中的H<sub>2</sub>流量，即能改善晶体质量，又不会对InGaN势阱材料造成腐蚀破坏，降低了量子阱结构中的晶体缺陷，从而降低了InGaN/GaN多量子阱发光层结构中有源区电子与空穴的非辐射性复合效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105140366A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201510617296.6 | 申请日期 | 2015.09.24 |
| 申请人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 | 发明人 | 琚晶;马后永;游正璋;李起鸣;张宇;徐慧文 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种GaN基LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供生长衬底，在所述生长衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上依次生长未掺杂的GaN层及N型GaN层；在所述N型GaN层上生长InGaN/GaN超晶格量子阱结构；在所述InGaN/GaN超晶格量子阱结构上生长InGaN/GaN多量子阱发光层结构；生长所述InGaN/GaN多量子阱发光层结构的同时向生长环境中通入H<sub>2</sub>，其中，生长InGaN势阱的过程中通入的H<sub>2</sub>的流量远小于生长GaN势垒过程中通入的H<sub>2</sub>的流量；在所述InGaN/GaN多量子阱发光层结构上生长P型电子阻挡层；在所述P型电子阻挡层上生长P型GaN层。 | ||
| 地址 | 201306 上海市浦东新区临港产业区新元南路555号金融中心211室 | ||