单晶硅生成装置、单晶硅生成方法

摘要

本发明提供一种能够利用铸造法容易地生成高品质且大型的单晶硅的单晶硅生成装置。本发明的单晶硅生成装置具备：坩埚3、4，其在底面部的一部分区域保持单一的单晶硅的晶种，并且保持固体和/或液体硅；吸热部，其对配置于坩埚3、4内的单晶硅的晶种区域从坩埚3、4的底面部进行吸热；及加热部，其利用比坩埚3、4的底面部更下方的热源对由吸热部冷却的区域的周边区域进行加热，其中，控制由吸热部引起的热通量的向量A与由加热部引起的热通量的向量B保持A×B＜0的关系。

主权项

一种单晶硅生成装置，其特征在于，具备：坩埚，其在底面部的一部分区域保持单一的单晶硅的晶种，并且保持固体和/或液体的硅，吸热部，其从包含至少所述晶种区域且所述坩埚的下方对所述坩埚内的硅熔融液进行吸热，和加热部，其对由所述吸热部冷却的区域的周边区域进行加热；并且，控制由所述吸热部引起的热通量的向量A与由所述加热部引起的热通量的向量B保持A×B＜0的关系。