发明名称 |
一种多晶黑硅结构及其液相制备方法 |
摘要 |
本发明公开一种用于高效太阳电池的多晶黑硅结构及其液相制备方法。其制备方法包括:(1)对硅片进行预清洗;(2)利用金属辅助化学腐蚀(MACE)技术,在硅片表面制备黑硅结构;(3)采用NSR(Nano-Structure-Rebuilding)溶液对黑硅结构进行优化处理。最后形成一种易于钝化的均匀分布的倒金字塔结构。本发明是一种利用NSR溶液对黑硅结构进行优化处理的方法,在高转换效率的多晶黑硅太阳电池制备中有巨大的应用潜力。 |
申请公布号 |
CN105140343A |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201510551033.X |
申请日期 |
2015.08.31 |
申请人 |
南京航空航天大学 |
发明人 |
沈鸿烈;蒋晔;王威 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种用于高效太阳电池多晶黑硅结构,其特征在于该结构为纳米级均匀分布的倒金字塔结构,在具备优异减反射效果的同时易于钝化,可用于制备高效黑硅太阳电池。 |
地址 |
210016 江苏省南京市秦淮区御道街29号 |