| 发明名称 | 一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示面板 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示面板，其中，薄膜晶体管，包括：衬底基板，衬底基板上的有源层、有源层上的源漏电极，还包括：设置在所述源漏电极上的氧化保护层；贯通所述氧化保护层的开口，所述开口对应所述源漏电极之间的有源层区域。可以避免漏电极被氧化，从而提升薄膜晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105140296A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201510524296.1 | 申请日期 | 2015.08.24 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘翔 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：形成所述薄膜晶体管的有源层；形成所述薄膜晶体管的源漏电极层薄膜；形成所述薄膜晶体管的氧化保护层薄膜；形成所述源漏电极层薄膜对应所述有源层的沟道区域的第一开口；形成所述氧化保护层薄膜对应所述有源层的沟道区域的第二开口；所述第一开口和所述第二开口是通过一次构图工艺形成的。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||