发明名称 频率自适应W波段信号源组件
摘要 本实用新型公开了一种频率自适应W波段信号源组件,涉及毫米波器件技术领域。所述组件包括第一石英基板、第一传输微带线、第一低通滤波器、第一石英电路、输入射频匹配微带线、第一定位接地端、第二定位接地端、GaAs太赫兹倍频二极管、输出射频匹配微带线、第二石英电路、射频输出过度微带线、射频输出波导、金丝跳线、第二石英基板、直流馈电输出微带线、第二低通滤波器、直流馈电输入微带线。所述组件对输入频率具有自适应性,同一组件既可以实现二次倍频,又可以实现三次倍频;肖特基二极管采用倒装焊接工艺,工艺较为简单。
申请公布号 CN204859114U 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201520570048.6 申请日期 2015.07.31
申请人 中国电子科技集团公司第十三研究所 发明人 王俊龙;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;邢东;冯志红
分类号 H03B19/00(2006.01)I 主分类号 H03B19/00(2006.01)I
代理机构 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人 陆林生
主权项 一种频率自适应W波段信号源组件,其特征在于:所述组件包括第一石英基板(101),所述第一传输微带线(102)的一端与第一低通滤波器(103)的一端连接,第一低通滤波器(103)的另一端依次经第一石英电路(104)、输入射频匹配微带线(105)、GaAs太赫兹倍频二极管(108)与输出射频匹配微带线(109)的一端连接,输出射频匹配微带线(109)的另一端经第二石英电路(110)与射频输出过度微带线(111)的一端连接,所述第一传输微带线(102)、第一低通滤波器(103)、第一石英电路(104)、输入射频匹配微带线(105)、GaAs太赫兹倍频二极管(108)、输出射频匹配微带线(109)、第二石英电路(110)以及射频输出过度微带线(111)固定在第一石英基板上,所述射频输出过度微带线(111)横跨在射频输出波导(112)上;直流馈电输入微带线(117)的一端经第二低通滤波器(116)与直流馈电输出微带线(115)的一端连接,直流馈电输出微带线(115)的另一端通过金丝跳线(113)与输入射频匹配微带线(105)连接,所述直流馈电输入微带线(117)、第二低通滤波器(116)以及直流馈电输出微带线(115)固定在第二石英基板(114)上;当射频输入频率介于25GHz‑37.5GHz时,该组件工作在三次倍频模式;当输入频率介于37.5GHz‑50GHz时,该组件工作在二次倍频模式。
地址 050051 河北省石家庄市合作路113号