基于FINFET的一次可编程器件和相关方法

摘要

根据一个实施方式，提供了一种基于FINFET的一次可编程器件和相关方法。该一次可编程（OTP）器件包括与传感FinFET平行的存储FinFET。存储FinFET和传感FinFET共享公共源极区、公共漏极区和公共沟道区。存储FinFET通过具有断裂的栅极电介质而被编程，导致传感FinFET具有改变的阈值电压和改变的漏极电流。一种用于使用这样的OTP器件的方法，包括施加编程电压用于使存储FinFET的栅极电介质断裂，从而获得存储FinFET的已编程状态，以及通过传感FinFET检测由该存储FinFET的已编程状态而导致的改变的阈值电压和改变的漏极电流。

主权项

一种一次可编程（OTP）器件，包括：存储FinFET，与传感FinFET平行，其中，所述存储FinFET和所述传感FinFET共享公共源极区、公共漏极区和公共沟道区；所述存储FinFET通过具有断裂的栅极电介质而被编程；从而所述传感FinFET由于所述存储FinFET被编程而具有改变的阈值电压和改变的漏极电流。