发明名称 表面增强拉曼散射衬底的制备方法
摘要 本发明提供了一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法。该制备方法包括:步骤A:获得高分子聚合物膜,该高分子聚合物膜的成分为能够进行氧等离子体刻蚀的高分子聚合物材料;步骤B:对高分子聚合物膜进行氧等离子体刻蚀处理,形成竖直向上排列的纳米棒阵列;以及步骤C:在纳米棒阵列表面覆盖具有表面增强拉曼散射活性的金属层,形成向上排列的金属纳米棒阵列,完成表面增强拉曼散射衬底的制备。本发明中,金属纳米棒尺寸和间隙均可以控制在纳米尺度,从而制备的SERS衬底具有较大的比表面积,有利于待测分子的吸附,并且有利于光反射率的降低和金属纳米棒之问电场的相互耦合,从而使SERS衬底可以实现拉曼散射增强效果的较大提高。
申请公布号 CN105129724A 申请公布日期 2015.12.09
申请号 CN201510490139.3 申请日期 2015.08.11
申请人 中国科学院电子学研究所 发明人 范祥祥;何秀丽;高晓光;贾建;李建平
分类号 B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 曹玲柱
主权项 一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法,其特征在于,包括:步骤A:获得高分子聚合物膜,该高分子聚合物膜的成分为能够进行氧等离子体刻蚀的高分子聚合物材料;步骤B:对高分子聚合物膜进行氧等离子体刻蚀处理,形成竖直向上排列的纳米棒阵列;以及步骤C:在纳米棒阵列表面覆盖具有表面增强拉曼散射活性的金属层,形成向上排列的金属纳米棒阵列,完成表面增强拉曼散射衬底的制备。
地址 100190 北京市海淀区北四环西路19号
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