| 发明名称 | 降低起始电压及导通电阻的MOSFET组件胞架构及加工方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种降低起始电压及导通电阻的MOSFET组件胞架构及加工方法，包括N型外延层、P+区、源区和P阱区；其中，所述N型外延层的上表面形成所述P阱区；所述源区通过P+区连接所述P阱区。还包括栅极介质层、介质层和多晶硅栅；其中，所述N型外延层一区域形成所述P阱区，另一区域依次形成栅极介质层和多晶硅栅；所述介质层设置在所述源区和所述多晶硅栅之间。本发明在P阱区内增加一个重掺杂的P+区，在增加N型外延层的掺杂浓度的状况下，不需特别提高P阱区的深度和掺杂浓度即可抑止P阱区的空乏区延伸至N+源区，因此可以大幅降低组件的导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN105140287A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201510536729.5 | 申请日期 | 2015.08.27 |
| 申请人 | 上海晶亮电子科技有限公司 | 发明人 | 廖奇泊;陈俊峰;胡建国 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人 | 郭国中 |
| 主权项 | 一种降低起始电压及导通电阻的MOSFET组件胞架构，其特征在于，包括N型外延层、P+区、源区和P阱区；其中，所述N型外延层的上表面形成所述P阱区；所述源区通过P+区连接所述P阱区。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区宜山路700号83幢102B室 | ||