薄膜晶体管和阵列基板

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管，包括沿第一方向依次层叠设置的基板、金属遮光层、阻隔层、栅极绝缘层、栅极和内介电层，且所述薄膜晶体管沿第二方向并排形成外围区和像素区，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述金属遮光层和所述栅极均呈长条状且在所述第二方向上自所述外围区延伸至所述像素区，所述金属遮光层在所述第一方向上与所述栅极至少部分重叠，在所述外围区内，所述栅极贯穿所述栅极绝缘层和所述阻隔层连接所述金属遮光层。本发明所述薄膜晶体管具有较高电子迁移率。本发明还公开一种阵列基板。

主权项

一种薄膜晶体管，其特征在于，包括沿第一方向依次层叠设置的基板、金属遮光层、阻隔层、栅极绝缘层、栅极和内介电层，且所述薄膜晶体管沿第二方向并排形成外围区和像素区，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述金属遮光层和所述栅极均呈长条状且在所述第二方向上自所述外围区延伸至所述像素区，所述金属遮光层在所述第一方向上与所述栅极至少部分重叠，在所述所述外围区内，所述栅极贯穿所述栅极绝缘层和所述阻隔层连接所述金属遮光层。