发明名称 |
太阳能电池用硅晶圆及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种反射率低、光泽不均少的太阳能电池用硅晶圆及其制造方法,所述太阳能电池用硅晶圆是使用以固定磨粒方式对多晶硅锭进行切片而得到的切片获得的。一种太阳能电池用硅晶圆的制造方法,其中,通过包含由氢氟酸、硝酸和硫酸组成的混酸的蚀刻液对多晶硅的切片进行蚀刻,所述切片是用固定磨粒方式的线锯进行切片而得到的,混酸的组成范围在以重量%表示上述组成的三角图中处于依次连结以下点A~点D的四条线段所围成的区域内,所述点A为氢氟酸2.82重量%、硝酸0.18重量%、硫酸97重量%的点;所述点B为氢氟酸0.18重量%、硝酸2.82重量%、硫酸97重量%的点;所述点C为氢氟酸8.47重量%、硝酸0.53重量%、硫酸91重量%的点;所述点D为氢氟酸0.53重量%、硝酸8.47重量%、硫酸91重量%的点,蚀刻液的水的浓度为0~10.5重量%。 |
申请公布号 |
CN105144351A |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201480023748.1 |
申请日期 |
2014.04.09 |
申请人 |
株式会社TKX |
发明人 |
池内正彦;远藤忠;津田统 |
分类号 |
H01L21/304(2006.01)I;B24B27/06(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种太阳能电池用硅晶圆的制造方法,其是通过以混酸为主成分的蚀刻液对多晶硅的切片进行蚀刻的太阳能电池用硅晶圆的制造方法,所述切片是用固定磨粒方式的线锯进行切片而得到的,所述混酸由以化学式HF表示的氢氟酸、以化学式HNO<sub>3</sub>表示的硝酸和以化学式H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>表示的硫酸组成,所述混酸的组成范围在以重量%表示上述组成的三角图中处于依次连结以下点A~点D的四条线段所围成的区域内,所述点A为所述氢氟酸2.82重量%、所述硝酸0.18重量%、所述硫酸97重量%的点、所述点B为所述氢氟酸0.18重量%、所述硝酸2.82重量%、所述硫酸97重量%的点、所述点C为所述氢氟酸8.47重量%、所述硝酸0.53重量%、所述硫酸91重量%的点、所述点D为所述氢氟酸0.53重量%、所述硝酸8.47重量%、所述硫酸91重量%的点,所述蚀刻液的水的浓度为0~10.5重量%。 |
地址 |
日本大阪府 |