| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 실시예에 따른 반도체 소자 제조방법은 반도체 기판 상에 불순물 영역을 형성하는 단계; 상기 불순물 영역 상에 선택적으로 커버층을 형성하는 단계; 상기 커버층을 포함하는 반도체 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴을 마스크로 하여 상기 반도체 기판을 선택적으로 제거하는 단계; 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 커버층을 제거하고 상기 불순물 영역 상에 콘택을 형성하는 단계를 포함한다.</p> |
