| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 기판 상의 절연막 트렌치 측벽을 유기소재 고분자 물질과 H-F기가 반응하여 식각액을 생성 선택 식각하여, 윗면과 바닥면의 CD가 차이가 없는 깊은 트렌치를 만드는 방법을 제공한다. 반도체 기판상에 산화막을 형성하고, 상기 산화막에 깊은 트렌치를 형성하고, 상기 트렌치 소정의 깊이에 유기소재 고분자 물질을 채우고, 상기 트렌치 안의 유기소재 고분자 물질에 H-F기가 있는 식각 가스를 공급하여 유기소재 고분자 물질 성분과 H-F기가 반응하여 부산물로 물을 만들어 축적된 H-F기가 습식 식각액이 되어 선택적으로 트렌치 측벽을 식각하고, 상기 유기소재 고분자 물질을 제거하면 반도체 기판 상에 윗면과 바닥면의 CD가 일정한 산화막 트렌치가 형성된다.</p> |
