发明名称 Semiconductor memory device and memory system comprising the same
摘要 <p>본 발명은 반도체 메모리 장치 및 이 장치를 구비하는 메모리 시스템을 공개한다. 이 장치는 리드 동작시 저장된 데이터를 내부 데이터 신호로 출력하는 메모리 셀 어레이, 및 상기 리드 동작시 외부로부터 입력되는 클럭 신호를 입력하여 상기 클럭 신호의 주기의 n배(n은 2이상의 정수)의 주기를 가지는 리드 데이터 스트로브 신호를 출력하고, 상기 내부 데이터 신호를 상기 클럭 신호의 제1 에지에 동기시켜 리드 데이터 신호로 출력하는 데이터 및 리드 데이터 스트로브 신호 출력부를 구비하는 것을 특징으로 한다.</p>
申请公布号 KR101575816(B1) 申请公布日期 2015.12.08
申请号 KR20090055208 申请日期 2009.06.19
申请人 삼성전자주식회사 发明人 김호영;이호철;이정배
分类号 G11C7/10;G11C7/22 主分类号 G11C7/10
代理机构 代理人
主权项
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