| 摘要 |
자기적으로 어닐링된 레퍼런스 셀들을 이용하여 MRAM(magnetoresistive random access memory) 셀들에 저장된 데이터를 판독/감지하기 위한 시스템들 및 방법이 제공된다. MRAM은 적어도 하나의 자기 저장 셀(506)을 포함하는 레퍼런스 회로(570)를 포함하며, 여기서 MRAM 내의 각각의 자기 저장 셀은 동일한 상태로 프로그래밍된다. 레퍼런스 회로는 자기 저장 셀에 커플링된 로드 엘리먼트를 포함하며, 여기서 상기 로드 엘리먼트(512)는 판독 동작 동안 레퍼런스 전압을 설정하도록 구성된다. |
