DIELECTRIC LAYER AND MANUFACTURING METHOD OF DIELECTRIC LAYER, AND SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE

摘要

리크 전류를 낮게 억제하는 동시에 평탄성이 뛰어난 비유전율이 높은 유전체층을 제공한다. 본 발명의 유전체층(30a)은 비스무스(Bi)와 니오븀(Nb)으로 이루어지는 산화물, 또는 비스무스(Bi)와 아연(Zn)과 니오븀(Nb)으로 이루어지는 산화물(불가피 불순물을 함유할 수 있다.)로 구성되는 제1 산화물층(31)과, 란탄(La)과 탄탈(Ta)로 이루어지는 산화물, 란탄(La)과 지르코늄(Zr)으로 이루어지는 산화물, 및 스트론튬(Sr)과 탄탈(Ta)로 이루어지는 산화물의 그룹으로부터 선택되는 1종의 산화물(불가피한 불순물을 포함할 수 있다)로 구성되는 제2 산화물층(32)의 적층 산화물로 이루어진다.