发明名称 MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE
摘要 <p>본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막 위에 비정질 규소층, 하부 데이터 금속층 및 상부 데이터 금속층을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 상부 데이터 금속층 위에 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 감광막 패턴을 검사하여 상기 제1 감광막 패턴이 불량인 경우 상기 불량 제1 감광막 패턴을 제거하는 단계, 상기 상부 데이터 금속층 위에 보조 금속층을 형성하는 단계, 상기 보조 금속층 위에 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은 4 마스크 공정에서 구리 또는 구리 합금으로 형성한 데이터 금속층을 데이터선으로 패터닝하기 위한 감광막 패턴의 불량 시 불량 감광막 패턴을 제거한 후 데이터 금속층 위에 보조막을 형성하여 불량 감광막 패턴 제거 시 사용되는 식각액에 의해 데이터선이 단선되는 불량을 방지할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101574131(B1) 申请公布日期 2015.12.04
申请号 KR20090108026 申请日期 2009.11.10
申请人 삼성디스플레이 주식회사 发明人 김성렬;송진호;윤재형;서오성;김병범;박제형;김종인;송재진
分类号 G02F1/136;H01L29/786 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人
主权项
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