发明名称 Method for fabricating pellicle of EUV mask
摘要 <p>실리콘 기판 상에 절연층을 형성한 후, 절연층 상에 메쉬(mesh)를 형성하고, 기판의 후면으로 기판의 가운데 부분을 선택적으로 제거하여 절연층의 후면 표면을 노출하는 프레임(frame)을 형성한다. 메쉬 및 메쉬에 인근하여 노출되는 절연층의 상면 부분 상에 실리콘(Si) 멤브레인층을 증착하고, 프레임에 의해 노출되는 절연층 부분을 선택적으로 제거하여 멤브레인층의 후면을 노출시키는 펠리클(pellicle) 제조 방법을 제시한다. 펠리클은 극자외선 마스크의 표면을 파티클(particle) 오염으로부터 보호한다.</p>
申请公布号 KR101572269(B1) 申请公布日期 2015.12.04
申请号 KR20090086640 申请日期 2009.09.14
申请人 에스케이하이닉스 주식회사 发明人 김용대
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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