| 摘要 |
<p>기판을 처리실 내에 수용하는 공정; 및 상기 처리실 내로 금속 원소를 포함하는 원료 가스와 질소 함유 가스와 수소 함유 가스를 공급하여 상기 기판 상에 금속 질화층을 형성하는 공정;을 포함하고, 상기 금속 질화층을 형성하는 공정에서는, 상기 기판에 대하여 상기 원료 가스 및 상기 질소 함유 가스를 간헐적으로 교호적으로 공급하고, 그 때 상기 질소 함유 가스를 공급하는 시간보다 긴 시간 동안 개질 가스로서 상기 수소 함유 가스를 공급한다.</p> |
