| 摘要 |
３次元メモリアレイアーキテクチャおよびその形成方法が提供される。実施例のメモリアレイは、少なくとも絶縁材料により互いに分離された複数の階層に複数の第１の導電線を備える積層体と、複数の第１の導電線に実質的に直角に延びるように配置される少なくとも１本の導電延長部とを含み得る。記憶素子材料が、少なくとも１本の導電延長部の周囲に形成される。セル選択材料が、少なくとも１本の導電延長部の周囲に形成される。少なくとも１本の導電延長部、記憶素子材料、およびセル選択材料は、複数の第１の導電線の同一面上の対の間に位置する。【選択図】図６ |
