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<p>종래는, 기능 소자의 제조에 있어서, 상부 전극 및 하부 전극을 형성하기 위하여, 많은 공정이 필요하며, 또한 전극의 형성 시에 위치 어긋남의 문제가 발생하고 있었다. 기능 소자의 제조 방법에 있어서, 하지층과 패터닝된 다층막 및 캡층을 덮는 보호막을 성막한 후, 레지스트를 새로이 형성하는 일 없이 하지층의 가공을 행함으로써 종래보다 적은 공정으로 전극을 형성할 수 있다. 또한 패터닝된 다층막 및 캡 상에 형성된 보호막을 마스크로 하기 때문에 위치 어긋남의 문제를 방지할 수 있다.</p> |
