| 摘要 |
<p>반도체 기판과 베이스 기판의 부착에 있어서, 질소를 함유하는 절연막을 접합층으로서 사용하는 경우에도, 접합 강도를 향상시키고 SOI 기판의 신뢰성을 향상시키기 위해, 반도체 기판측에 산화막을 설치하고, 베이스 기판측에 질소 함유층을 설치하고, 반도체 기판 위에 형성된 산화막과 베이스 기판 위에 형성된 질소 함유층을 접합한다. 또한, 반도체 기판 위에 형성된 산화막과 베이스 기판 위에 형성된 질소 함유층을 접합하기 전에, 산화막과 질소 함유층의 적어도 한쪽에 대하여 플라즈마처리를 행한다. 플라즈마처리는, 바이어스 전압이 인가된 상태에서 행할 수 있다.</p> |
