发明名称 |
Speicherbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
摘要 |
Ein Bauelement umfasst: einen Nanodraht über einem Substrat, wobei der Nanodraht eine erste Drain/Source-Region über dem Substrat, eine Kanalregion über der ersten Drain/Source-Region und eine zweite Drain/Source-Region über der Kanalregion umfasst; eine Dielektrikumschicht mit hohem k-Wert und eine Steuer-Gate-Schicht, die einen unteren Abschnitt der Kanalregion umgeben; und eine Tunnelungsschicht und eine ringförmige Floating-Gate-Schicht, die einen oberen Abschnitt der Kanalregion umgeben. |
申请公布号 |
DE102015104610(A1) |
申请公布日期 |
2015.12.03 |
申请号 |
DE201510104610 |
申请日期 |
2015.03.26 |
申请人 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. |
发明人 |
COLINGE, JEAN-PIERRE;GUO, TA-PEN;DIAZ, CARLOS H. |
分类号 |
H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/775 |
主分类号 |
H01L27/115 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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