发明名称 Speicherbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
摘要 Ein Bauelement umfasst: einen Nanodraht über einem Substrat, wobei der Nanodraht eine erste Drain/Source-Region über dem Substrat, eine Kanalregion über der ersten Drain/Source-Region und eine zweite Drain/Source-Region über der Kanalregion umfasst; eine Dielektrikumschicht mit hohem k-Wert und eine Steuer-Gate-Schicht, die einen unteren Abschnitt der Kanalregion umgeben; und eine Tunnelungsschicht und eine ringförmige Floating-Gate-Schicht, die einen oberen Abschnitt der Kanalregion umgeben.
申请公布号 DE102015104610(A1) 申请公布日期 2015.12.03
申请号 DE201510104610 申请日期 2015.03.26
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. 发明人 COLINGE, JEAN-PIERRE;GUO, TA-PEN;DIAZ, CARLOS H.
分类号 H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/775 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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