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<p>일 실시 형태에 따르면, 질화물 반도체 소자는 적층체 및 기능층을 포함한다. 상기 적층체는 AlGaN (0 <x≤1)의 AlGaN층, 제1 Si 함유층, 제1 GaN층, 제2 Si 함유층, 및 제2 GaN층을 포함한다. 상기 제1 Si 함유층은 상기 AlGaN층의 상면에 접한다. 상기 제1 Si 함유층은 7×10/cm이상 4×10/cm이하의 농도로 Si를 함유한다. 상기 제1 GaN층은 상기 제1 Si 함유층 위에 설치된다. 상기 제1 GaN층은 상기 상면에 대하여 경사진 경사면을 갖는 볼록부를 포함한다. 상기 제2 Si 함유층은 상기 제1 GaN층 위에 설치된다. 상기 제2 Si 함유층은 Si를 함유한다. 상기 제2 GaN층은 상기 제2 Si 함유층 위에 설치된다. 상기 기능층은 상기 적층체 위에 설치된다. 상기 기능층은 질화물 반도체를 포함한다.</p> |
