发明名称 Vias und Verfahren zu deren Ausbildung
摘要 Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält ein Halbleiterbauelement eine erste Metallleitung (11), die in einer ersten Isolierschicht (120) angeordnet ist, und ein Via (20) mit einem Abschnitt um einen Abschnitt einer ersten Seitenwand der ersten Metallleitung (11) herum.
申请公布号 DE102015108695(A1) 申请公布日期 2015.12.03
申请号 DE201510108695 申请日期 2015.06.02
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 MELZNER, HANNO
分类号 H01L23/522;H01L21/768 主分类号 H01L23/522
代理机构 代理人
主权项
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