| 摘要 |
<p>본 발명은 역구조 OLED의 제조방법에 관한 것이다. 상기 역구조 OLED의 제조방법은 기판을 제공하고, 상기 기판에서 ITO박막을 제조하여 음극으로 하는 단계와, 상기 ITO박막에 대하여 플라즈마 잠입 이온주입(Plasma Immersion Ion Implantation)을 진행하는 동시에 상기 ITO박막에 펄스용 부 바이어스를 인가함으로써 상기 플라즈마가 설정된 주입 심도에 따라 상기 ITO박막 내에 주입되도록 하는 단계와, 상기 ITO박막에서 순서대로 필름 포밍(film forming)을 거쳐 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층 및 정공 수송층을 포함하는 유기층을 형성하는 단계 및 상기 유기층에서 필름 포밍을 거쳐 양극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 플라즈마를 ITO박막 표면 및 표면 이하의 일정한 심도 내로 주입하는 것이므로, 부품은 더욱 높은 안정성을 가진다. 본 발명의 방법을 이용하여 낮은 일함수의 ITO박막을 얻을 수 있는 동시에 또 ITO박막의 투명성과 전기 전도성을 유지할 수 있다. 본 발명의 방법을 이용하여 처리한 후의 ITO를 음극으로 하여 제조된 OLED부품은 출광 효율 및 부품의 안정성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.</p> |
