发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPLIANCE
摘要 <p>높은 절연파괴 내압특성, 낮은 유전율, 및, 낮은 흡습성을 구비한 절연층을 갖는 반도체장치를 제공하는 것을 과제로 한다. 또한 상기 반도체장치를 사용한 고성능이면서 신뢰성이 높은 전자기기를 제공하는 것을 과제로 한다. 산화질화규소나 질화산화규소와 같은 질소를 함유하는 절연체와, 불소가 첨가된 산화질화규소나 불소가 첨가된 질화산화규소와 같은 질소 및 불소를 함유하는 절연체를 교대로 퇴적시켜서, 절연층을 형성한다. 질소 및 불소를 함유하는 절연체를, 질소를 함유하는 절연체 사이에 개재함으로써 질소 및 불소를 함유하는 절연체의 흡습을 막을 수 있고, 절연파괴 내압을 향상시킬 수 있다. 또한 불소를 함유시킴으로써, 유전율을 저감할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101574140(B1) 申请公布日期 2015.12.03
申请号 KR20080096425 申请日期 2008.10.01
申请人 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 发明人 토리우미 사토시;스즈키 노리요시
分类号 H01L21/31 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
主权项
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