| 发明名称 | 半导体器件的电极以及制造电容器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体器件的电极包括TiCN层和TiN层。本发明的制造半导体器件电极的方法包括制备衬底、形成TiCN层和形成TiN层。 | ||
| 申请公布号 | CN102082171B | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201010271741.5 | 申请日期 | 2010.09.03 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 都官佑;李起正;朴京雄;李正烨 |
| 分类号 | H01L29/45(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/45(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;黄启行 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的电极的方法，包括以下步骤：制备衬底；通过执行原子层沉积来形成TiCN层；和形成TiN层，其中，通过对所述TiCN层进行原位等离子体加工来将所述TiCN层部分地变为所述TiN层而形成所述TiN层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||