一种LED芯片电极及其制作方法

摘要

本申请公开了一种LED芯片电极的制作方法，包括步骤：干法刻蚀外延层，露出N型GaN层；制作氧化铟锡薄膜导电层；蒸镀铬层；蒸镀镍层；氮气氛围中对镍层进行退火处理，使镍层在铬层的表面上形成均匀分布的球状镍颗粒；利用球状镍颗粒作为掩膜刻蚀铬层，在铬层表面刻蚀形成纳米级凹状矩形坑；腐蚀去掉球状镍颗粒；依次蒸镀铝层、钛层、铂层和金层；剥离去胶，得到LED芯片电极。本发明还公开了一种LED芯片电极，自下而上顺次包括：铬层、铝层及蒸镀铝层、钛层、铂层和金层，在铬层表面刻蚀有纳米级凹状矩形坑。本发明使铬层表面形成纳米级的凹凸状，增加光在铬层表面的出射率，被铝层反射回芯片内部而再次反射出去的光线也将增加，LED的发光效率明显提高。

主权项

一种LED芯片电极的制作方法，其特征在于，包括步骤：干法刻蚀设备ICP刻蚀自下至上依次包含N型GaN层、量子阱和P型GaN层的外延层，形成台阶，露出N型GaN层，刻蚀深度1‑2μm，切割道的宽度在10‑25μm之间；电子束真空蒸镀方法制作氧化铟锡薄膜导电层，薄膜厚度为腔体温度150‑350℃，氧气流量5‑15sccm，真空度3×10^‑5‑3×10^‑7Torr；涂覆厚度2.5‑3.0μm的负性光刻胶，曝光、显影，露出电极区；电子束真空蒸镀方法蒸镀10‑12nm的铬层，镀膜速率为镀膜功率为电子枪输出功率的0.35‑0.45倍，腔体压力为1.0×10^‑6Torr；电子束真空蒸镀方法蒸镀5‑10nm的镍层，镀膜速率设为镀膜功率为电子枪输出功率的0.16‑0.19倍，腔体压力为1.0×10^‑6Torr；氮气氛围中对所述镍层进行退火处理，使镍层在所述铬层的表面上形成均匀分布的球状镍颗粒，球状镍颗粒之间的距离为2.5‑4nm，氮气流量为5‑7L/min，温度为500‑540℃，时间为60‑120s；利用球状镍颗粒作为掩膜，刻蚀所述铬层，在铬层表面刻蚀形成纳米级凹状矩形坑，凹状矩形坑的长、宽、高为3‑8nm，相邻凹状矩形坑之间相距2.5‑4nm，刻蚀采用反应离子刻蚀机或感应耦合等离子体刻蚀机进行的干法刻蚀，所使用的刻蚀气体为BCl3、Cl2或Ar，BCl3通入的浓度为15‑22ml/min，Cl2通入的浓度为20‑30ml/min，Ar通入的浓度为24‑33ml/min；采用包含氯化铁、盐酸以及水的溶液腐蚀去掉球状镍颗粒；电子束真空蒸镀方法依次蒸镀铝层、钛层、铂层和金层；剥离去胶，得到LED芯片电极。