发明名称 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
摘要 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置,用以提高材料的利用率,提高环境效益,提高半导体器件的精密度。阵列基板的制作方法包括:在衬底基板上制作像素电极;在像素电极上通过构图工艺制作栅极线、数据线、与像素电极连接的电极块,栅极线和数据线在相交位置处断开;在晶圆衬底上制作若干薄膜晶体管,每一薄膜晶体管包括同层相互绝缘制作的源电极、漏电极和栅电极制作,以及同层相互绝缘制作的源电极键合电极、漏电极键合电极和栅电极键合电极;将每一薄膜晶体管与晶圆衬底分离,并分别将栅电极键合电极与预设位置处的栅极线键合,将源电极键合电极与预设位置处的数据线键合,将漏电极键合电极与预设位置处的电极块键合。
申请公布号 CN105118838A 申请公布日期 2015.12.02
申请号 CN201510609031.1 申请日期 2015.09.22
申请人 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 发明人 安晖
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人 黄志华
主权项 一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板上通过构图工艺制作像素电极;在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作栅极线、数据线以及与所述像素电极电连接的电极块,所述栅极线和所述数据线在相交位置处断开;在晶圆衬底上制作若干薄膜晶体管,每一所述薄膜晶体管包括同层绝缘制作的源电极、漏电极和栅电极,以及位于源电极、漏电极和栅电极上,同层绝缘制作的源电极键合电极、漏电极键合电极和栅电极键合电极;所述源电极键合电极与所述源电极电连接,所述漏电极键合电极与所述漏电极电连接,所述栅电极键合电极与所述栅电极电连接;将每一个薄膜晶体管与晶圆衬底分离,并分别将栅电极键合电极与预设位置处的栅极线键合,将源电极键合电极与预设位置处的数据线键合,将漏电极键合电极与预设位置处的电极块键合。
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