发明名称 | 涡电流检测方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种涡电流检测方法,所述方法包括:在待测试样旁设置激励线圈;将一无缺陷的导体试样置于小永磁体与激励线圈之间,测得小永磁体受到的第一反作用力;导体试样中缺陷部位经过小永磁体与激励线圈之间的电磁敏感区时,通过测力传感器测得小永磁体受到的第二反作用力,从而得到第一反作用力变化量,通过第一反作用力变化量的分析获得缺陷信息;在对试样的测试过程中,激励线圈与导体试样间的距离从第一距离增加为第二距离,测力传感器测得小永磁体受到第三反作用力,从而得到第二反作用力变化量,与第一反作用力变化量进行分析,将提离效应与缺陷引起的反作用力变化量信号进行区分。本发明涡电流检测方法,测量过程简单,准确度高。 | ||
申请公布号 | CN105116049A | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
申请号 | CN201510504789.9 | 申请日期 | 2015.08.17 |
申请人 | 中国科学院大学 | 发明人 | 王晓东;代尚军;陶震 |
分类号 | G01N27/90(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/90(2006.01)I |
代理机构 | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人 | 陈霁 |
主权项 | 一种涡电流检测方法,其特征在于,所述方法包括:步骤1,在待测试样旁设置激励线圈,所述待测试样与励磁线圈的第一距离为L,在所述励磁线圈通入交变电流;步骤2,将小永磁体与测力传感器相连接,所述小永磁体与激励线圈间形成电磁敏感区;步骤3,将一无缺陷的导体试样置于小永磁体与激励线圈之间,通过测力传感器测得小永磁体受到的第一反作用力;步骤4,导体试样中缺陷部位经过小永磁体与激励线圈之间的电磁敏感区时,通过测力传感器测得小永磁体受到的第二反作用力,从而得到所述第二反作用力与第一反作用力的第一反作用力变化量,通过所述第一反作用力变化量的分析获得缺陷信息;步骤5,在对试样的测试过程中,激励线圈与导体试样间的距离从第一距离增加为第二距离,测力传感器测得小永磁体受到第三反作用力,从而得到所述第三反作用力与第一反作用力的第二反作用力变化量,与所述第一反作用力变化量进行分析,将提离效应与缺陷引起的反作用力变化量信号进行区分,即克服了现有涡流法中提离效应对检测结果的干扰。 | ||
地址 | 100049 北京市石景山区玉泉路(甲)19号 |