单模光纤及其制造方法

摘要

本发明涉及单模光纤及其制造方法，该单模光纤从中心到外周依次包括：纤芯，其半径为a，并且相对于外包层的折射率差Dn₁-Dn_cl为-0.5×10^-3~0.5×10^-3；凹陷内包层，其半径为r_ring1，并且相对于外包层的折射率差为Dn_inner-Dn_cl；环，其内半径r_ring1为21μm~35μm、外半径为r_ring2，并且相对于外包层的折射率差Dn_ring-Dn_cl为-0.5×10^-3~0.5×10^-3；凹陷外包层，其半径为r_out，并且相对于外包层的折射率差为Dn_out-Dn_cl；以及外包层。所述纤芯的体积分V_core相对于所述环的宽度w_ring的比值为0.12μm~0.2μm，并且所述凹陷外包层的体积分为15μm²~30μm²。可以获得具有增大容量的低成本预制件。

主权项

一种单模光纤，其从中心到外周依次包括纤芯、凹陷内包层、环、凹陷外包层以及外包层，其中：所述纤芯的半径为a，并且所述纤芯相对于所述外包层的折射率差Dn₁‑Dn_cl为‑0.5×10^‑3～0.5×10^‑3；所述凹陷内包层的半径为r_ring1，并且所述凹陷内包层相对于所述外包层的折射率差为Dn_inner‑Dn_cl；所述环的内半径r_ring1为21μm～35μm，所述环的外半径为r_ring2，并且所述环相对于所述外包层的折射率差Dn_ring‑Dn_cl为‑0.5×10^‑3～0.5×10^‑3；所述凹陷外包层的半径为r_out，并且所述凹陷外包层相对于所述外包层的折射率差为Dn_out‑Dn_cl；以及所述纤芯的体积分V_core相对于所述环的宽度w_ring的比值为0.12μm～0.2μm，其中，并且w_ring＝r_ring2‑r_ring1；所述凹陷外包层的体积分V_out为15μm²～30μm²，其中，$V_{out}=2\pi \left|\underset{r_{ring2}}{\overset{r_{out}}{\int }}Dn\left(r\right)rdr\right|.$