类单晶太阳能电池制绒工艺

摘要

本发明公开了类单晶太阳能电池制绒工艺，包括以下步骤：将硅片放入HNO₃和HF的混酸溶液中进行腐蚀，且在硅片腐蚀深度达到2～2.5um时从混酸溶液中取出，再对酸腐蚀后的硅片进行水洗干燥处理；将干燥后的硅片放入具有单晶催化剂的KOH或NaOH碱溶液中进行腐蚀，且在硅片腐蚀深度达到2～2.5um时从碱溶液中取出，再对碱腐蚀后的硅片进行水洗干燥处理。本发明通过上述方式对硅片进行制绒处理，经过本发明处理的硅片生成的电池片不同尺寸晶粒间的反射率差异小，且具有较好的抗衰减性能。

主权项

类单晶太阳能电池制绒工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤a、将硅片放入HNO₃和HF的混酸溶液中进行腐蚀，且在硅片腐蚀深度达到2～2.5 um时从混酸溶液中取出，再对酸腐蚀后的硅片进行水洗干燥处理；步骤b、将干燥后的硅片放入具有单晶催化剂的KOH或NaOH碱溶液中进行腐蚀，且在硅片腐蚀深度达到2～2.5 um时从碱溶液中取出，再对碱腐蚀后的硅片进行水洗干燥处理；腐蚀深度根据称量硅片腐蚀前后的质量差得到，单面腐蚀深度=质量差*刻蚀因子常数/2，其中，刻蚀因子常数=1/（硅片长*宽*硅密度）。