裂缝停止结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构，其含有一底材、一集成电路、及一切割道。所述底材包含一切割道区与一电路区。集成电路设于电路区内，而切割道设于切割道区内，并含有一设在底材中且邻近电路区的裂缝停止沟槽。裂缝停止沟槽与电路区的一侧平行并填有栅格形式的复合材质，以形成一裂缝停止结构。

主权项

一种半导体结构，其特征在于，包含：一底材，具有一切割道区与一晶粒区，所述切割道区中具有一第一沟槽；一晶粒，设置在所述晶粒区中；一层间介电层，设在所述底材上并盖住所述晶粒且部分填满所述第一沟槽而形成一第二沟槽；及一金属间介电层，设在所述层间介电层上且部分填满所述第二沟槽而形成一第三沟槽，其中所述金属间介电层填入所述第二沟槽的部位形成了一裂缝停止结构，所述裂缝停止结构的表面低于所述金属间介电层其余部位的表面。