发明名称 | 超薄硅薄膜钝化制备绝缘体上锗的方法 | ||
摘要 | 超薄硅薄膜钝化制备绝缘体上锗的方法,涉及一种GeOI的制备方法。1)将Ge片清洗,在Ge片上生长超薄硅钝化层,即得Si/Ge晶片;2)将Si片清洗,采用干氧氧化,在Si片上生长SiO<sub>2</sub>层,即得SiO<sub>2</sub>/Si晶片;3)将步骤1)得到的Si/Ge晶片和步骤2)得到的SiO<sub>2</sub>/Si晶片清洗后,进行氧等离子体处理,超薄硅钝化层被氧化、活化,得到SiO<sub>2</sub>/Ge,同时得到活化的SiO<sub>2</sub>/Si晶片;4)将步骤3)处理后的SiO<sub>2</sub>/Ge和SiO<sub>2</sub>/Si晶片用氨水浸泡,吹干后贴合,再升温加压处理,得键合片;5)将步骤4)得到的键合片进行湿法腐蚀,将Ge层减薄后抛光,得到表面平整的绝缘体上锗。 | ||
申请公布号 | CN105118804A | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
申请号 | CN201510631195.4 | 申请日期 | 2015.09.29 |
申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 陈松岩;赖淑妹;毛丹枫;李成;黄巍 |
分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人 | 马应森 |
主权项 | 超薄硅薄膜钝化制备绝缘体上锗的方法,其特征在于包括以下步骤:1)将Ge片清洗,在Ge片上生长超薄硅钝化层,即得Si/Ge晶片;2)将Si片清洗,采用干氧氧化,在Si片上生长SiO<sub>2</sub>层,即得SiO<sub>2</sub>/Si晶片;3)将步骤1)得到的Si/Ge晶片和步骤2)得到的SiO<sub>2</sub>/Si晶片清洗后,进行氧等离子体处理,超薄硅钝化层被氧化、活化,得到SiO<sub>2</sub>/Ge,同时得到活化的SiO<sub>2</sub>/Si晶片;4)将步骤3)处理后的SiO<sub>2</sub>/Ge和SiO<sub>2</sub>/Si晶片用氨水浸泡,吹干后贴合,再升温加压处理,得键合片;5)将步骤4)得到的键合片进行湿法腐蚀,将Ge层减薄后抛光,得到表面平整的绝缘体上锗。 | ||
地址 | 361005 福建省厦门市思明南路422号 |