发明名称 |
一种双通道滤波器 |
摘要 |
本实用新型公开一种双通道滤波器,其特征是:以玻璃为基板;镀膜材料为SiO2和TiO2;膜系结构为基板两个表面上分别沉积多层薄膜,第一膜系为38层,第二膜系为36层,实现了可见区域420~645nm透过,近红外区域845~900nm透过,这种双通道滤波器应用到手机上,既能完成照相功能又能完成手势识别功能。 |
申请公布号 |
CN204832565U |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
申请号 |
CN201520560436.6 |
申请日期 |
2015.07.30 |
申请人 |
王卫国 |
发明人 |
王卫国;其他发明人请求不公开姓名 |
分类号 |
G02B5/20(2006.01)I;G02B1/115(2015.01)I |
主分类号 |
G02B5/20(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种双通道滤波器,其特征是:以玻璃为基板;镀膜材料为SiO2和TiO2;膜系结构为基板两个表面上分别沉积多层薄膜,第一膜系为38层,由内到外的材料及厚度分别为TiO2层14nm、SiO2层36nm、TiO2层134nm、SiO2层19nm、TiO2层139nm、SiO2层25nm、TiO2层133nm、SiO2层34nm、TiO2层109nm、SiO2层132nm、TiO2层102nm、SiO2层55nm、TiO2层113nm、SiO2层64nm、TiO2层103nm、SiO2层110nm、TiO2层100nm、SiO2层75nm、TiO2层102nm、SiO2层101nm、TiO2层95nm、SiO2层107nm、TiO2层101nm、SiO2层75nm、TiO2层112nm、SiO2层53nm、TiO2层103nm、SiO2层118nm、TiO2层89nm、SiO2层131nm、TiO2层110nm、SiO2层32nm、TiO2层133nm、SiO2层25nm、TiO2层138nm、SiO2层22nm、TiO2层123nm、SiO2层87nm;第二膜系为36层,由内到外的材料及厚度分别为TiO2层17nm、SiO2层30nm、TiO2层72nm、SiO2层16nm、TiO2层30nm、SiO2层193nm、TiO2层115nm、SiO2层184nm、TiO2层113nm、SiO2层184nm、 TiO2层112nm、SiO2层183nm、TiO2层111nm、SiO2层180nm、TiO2层109nm、SiO2层179nm、TiO2层110nm、SiO2层181nm、TiO2层110nm、SiO2层181nm、TiO2层110nm、SiO2层180nm、 TiO2层109nm、SiO2层179nm、TiO2层110nm、SiO2层182nm、TiO2层112nm、SiO2层184nm、TiO2层112nm、SiO2层184nm、TiO2层112nm、SiO2层187nm、TiO2层23nm、SiO2层8nm、TiO2层86nm、SiO2层92nm。 |
地址 |
425100 湖南省永州市零陵区七里店办事处虎啸东路1号 |