| 发明名称 | 硅量子点的光活性层及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于太阳能电池或发光二极管的光活性层及其制造方法。光活性层通过交替堆叠硅量子点层和导电层形成，在所述硅量子点层中，在硅化合物的介质中形成包含导电型杂质的多个硅量子点，所述导电层是包含与硅量子点的导电型杂质相同导电型杂质的多晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN103443930B | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201280014208.8 | 申请日期 | 2012.03.22 |
| 申请人 | 韩国标准科学研究院 | 发明人 | 金庆中;洪升辉;朴裁熙;张淙植 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/08(2010.01)I;H01L33/34(2010.01)I;H01L31/0368(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;全万志 |
| 主权项 | 一种光活性层，其通过交替堆叠硅量子点层和导电多晶硅层形成，在所述硅量子点层中多个活性掺杂的硅量子点被封闭在硅化合物的介质中，所述导电多晶硅层由与所述硅量子点的导电型杂质相同导电型的杂质掺杂，其中所述硅量子点层具有70nm或更小的厚度并且所述导电多晶硅层具有5nm至10nm的厚度。 | ||
| 地址 | 韩国大田广域市 | ||