发明名称 |
一种静电保护电路及集成电路 |
摘要 |
本发明涉及一种静电保护电路及集成电路,其中该静电保护电路包括:衬底;自衬底的上表面向下延伸而成的第一有源区;自衬底的上表面向下延伸而成且与第一有源区间隔设置的第二有源区;形成于衬底的上表面上且位于第一有源区和第二有源区之间的栅极氧化层;形成于栅极氧化层至上的栅极;自衬底的上表面向下延伸而成的衬底接触区;和自衬底的上表面向下延伸而成的阱区,阱区的上部分与第一有源区和/或第二有源区部分重叠,阱区的下部分自第一有源区和/或第二有源区的下表面继续向下延伸。本发明通过增加阱区来增加第一有源区和/或第二有源区纵向界面的面积,从而增强第一有源区和/或第二有源区静电电流泄放能力。 |
申请公布号 |
CN105118826A |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
申请号 |
CN201510553508.9 |
申请日期 |
2015.09.01 |
申请人 |
无锡中星微电子有限公司 |
发明人 |
王钊 |
分类号 |
H01L23/60(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京亿腾知识产权代理事务所 11309 |
代理人 |
陈霁 |
主权项 |
一种静电保护电路,其特征在于,包括:衬底;自所述衬底的上表面向下延伸而成的第一有源区;自所述衬底的上表面向下延伸而成且与所述第一有源区间隔设置的第二有源区;形成于所述衬底的上表面上且位于所述第一有源区和所述第二有源区之间的栅极氧化层;形成于所述栅极氧化层至上的栅极;自所述衬底的上表面向下延伸而成的衬底接触区;和自所述衬底的上表面向下延伸而成的阱区,所述阱区的上部分与所述第一有源区和/或所述第二有源区部分重叠,所述阱区的下部分自所述第一有源区和/或所述第二有源区的下表面继续向下延伸。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市无锡新区太湖国际科技园清源路530大厦A区10层 |