| 发明名称 | 3D隧穿浮栅存储器的结构及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种3D隧穿浮栅存储器，其结构左右对称，每个存储单元由2个存储管和1个选择管构成，2个存储管分别对称地位于选择管的两侧，存储管和选择管之间用氧化层隔离，每个存储管包括隧穿氧化层、浮栅、高压氧化层、隔离氧化层和控制栅。本发明还公开了上述3D隧穿浮栅存储器的制造方法。本发明通过改进3D隧穿浮栅存储器的结构，大大减少了存储阵列的面积，如果用0.13μm节点的设计规则，每位存储单元的面积可以做到0.13平方微米左右。 | ||
| 申请公布号 | CN105118833A | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201510458678.9 | 申请日期 | 2015.07.30 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张可钢;陈华伦 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 3D隧穿浮栅存储器的结构，其特征在于，该存储器结构左右对称，每个存储单元由2个存储管和1个选择管构成，2个存储管分别对称地位于选择管的两侧，存储管和选择管之间用氧化层隔离，每个存储管包括隧穿氧化层、浮栅、高压氧化层、隔离氧化层和控制栅。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||