发明名称 |
一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护电路 |
摘要 |
本发明公开了一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护电路,包括天线屏蔽线A、MOS管N1和天线二极管D1,所述天线屏蔽线A的输入端IN连接反相器inverter1的输出端,天线屏蔽线A的输出端OUT连接天线二极管D1的阴极和MOS管N1的源极,MOS管N1的漏极连接二极管D2的阴极和反相器inverter2的输入端,MOS管N1的沟道将天线屏蔽线A的输出端OUT和反相器inverter2的输入端在物理上分隔开。本发明提出了一种由MOS管这种4端器件和其栅极控制电路构成的天线效应保护电路结构,消除了对传统天线二极管的依赖,有效减小主动屏蔽层所需的天线效应保护电路的面积,提高了芯片的鲁棒性。 |
申请公布号 |
CN105118829A |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
申请号 |
CN201510599183.8 |
申请日期 |
2015.09.18 |
申请人 |
芯佰微电子(北京)有限公司 |
发明人 |
阮为 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护电路,其特征在于,包括天线屏蔽线A、MOS管N1和天线二极管D1,所述天线屏蔽线A的输入端IN连接反相器inverter1的输出端,天线屏蔽线A的输出端OUT连接天线二极管D1的阴极和MOS管N1的源极,MOS管N1的漏极连接二极管D2的阴极和反相器inverter2的输入端,MOS管N1的沟道将天线屏蔽线A的输出端OUT和反相器inverter2的输入端在物理上分隔开。 |
地址 |
102208 北京市昌平区科星西路国风美唐二期朗观14栋2-702 |