发明名称 |
一种耗尽管及其制作方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种耗尽管及其制作方法,用以解决现有技术中由于在牺牲氧化层湿法剥除中会损失掉被耗尽离子注入到的场氧而造成制作出来的耗尽管用作只读存贮器时不足以起到隔离效果,有可能造成漏电而使器件工作失效的问题。本发明实施例提供的耗尽管的制作方法包括:在硅单晶上生长作为离子注入阻挡层的牺牲氧化层后,用湿法剥除掉所述牺牲氧化层;在衬底表面未覆盖场氧的地方生长栅氧之后,定义耗尽层并向耗尽层注入离子。本发明实施例在牺牲氧化层湿法剥除中不会造成场氧损失,因而耗尽管用作只读存贮器时能够起到很好的隔离效果,从而避免了只读存贮器因为漏电而不能正常工作的问题,进一步提高了只读存储器的性能。 |
申请公布号 |
CN103426762B |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
申请号 |
CN201210164447.3 |
申请日期 |
2012.05.24 |
申请人 |
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
发明人 |
闻正锋 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种耗尽管的制作方法,其特征在于,该方法包括:在硅单晶上生长作为离子注入阻挡层的牺牲氧化层,且进行阈值电压注入后,用湿法剥除掉所述牺牲氧化层;在衬底表面未覆盖场氧的地方生长栅氧之后,定义耗尽层并向耗尽层注入离子。 |
地址 |
100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 |