发明名称 |
一种硅片表面钝化方法及基于其的N型双面电池的制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种硅片表面钝化方法及基于其的N型双面电池的制作方法,它包括以下步骤:(a)采用HF溶液或者含HF的第一混酸溶液对硅片的表面进行处理,除去氧化层、硼硅玻璃或/和磷硅玻璃;(b)采用碱液中和步骤(a)中残留的酸性溶液;(c)去除硅片表面残留的碱液和金属杂质;(d)在紫外线照射下,用臭氧气体吹扫硅片表面或者将硅片浸在含臭氧的水中,在硅片表面形成氧化硅。只需要在紫外线照射下,用臭氧气体吹扫硅片表面或者将硅片浸在含臭氧的水中,即可在硅片表面形成氧化硅,该步骤可以在常温下完成,大大降低了成本,尤其适用于大规模工业化生产。 |
申请公布号 |
CN105118898A |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
申请号 |
CN201510610013.5 |
申请日期 |
2015.09.23 |
申请人 |
中利腾晖光伏科技有限公司 |
发明人 |
倪志春;魏青竹;吴晨阳;陆俊宇;连维飞 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
仇波 |
主权项 |
一种硅片表面钝化方法,其特征在于,它包括以下步骤:(a)采用HF溶液或者含HF的第一混酸溶液对硅片的表面进行处理,除去氧化层、硼硅玻璃或/和磷硅玻璃;(b)采用碱液中和步骤(a)中残留的酸性溶液;(c)去除硅片表面残留的碱液和金属杂质;(d)在紫外线照射下,用臭氧气体吹扫硅片表面或者将硅片浸在含臭氧的水中,在硅片表面形成氧化硅。 |
地址 |
215542 江苏省苏州市常熟沙家浜常昆工业园腾晖路1号 |