| 摘要 |
<p>기판 위에 그리고 마스크 피쳐를 갖는 패터닝된 유기 마스크 및 반사방지 코팅 (ARC : antireflective coating) 층 아래에 배치된 에칭층을 에칭하는 방법이 제공된다. 프로세스 챔버 내에 기판을 배치한다. ARC 층을 개구한다. 산화물 스페이서 증착층을 형성한다. 유기 마스크 상의 산화물 스페이서 증착층을 부분적으로 제거하는데, 여기서 산화물 스페이서 증착층의 적어도 상단 부분이 제거된다. 유기 마스크 및 ARC 층을 에칭에 의해 제거한다. 산화물 스페이서 증착층의 측벽을 통해 에칭층을 에칭한다. 프로세스 챔버로부터 기판을 제거한다.</p> |
