Nonvolatile memory device having vertical folding structure and method of fabricating the same
摘要
<p>수직 폴딩 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 구조물은 기판 상의 바닥부 및 상기 바닥부로부터 상기 기판 상으로 수직 신장하는 제 1 및 제 2 측벽부들을 포함한다. 복수의 메모리셀들은 상기 반도체 구조물의 상기 제 1 및 제 2 측벽부들을 따라서 이격 배치되고, 서로 직렬로 연결된다.</p>
