发明名称 THE APPARATUS FOR DEPOSITING THE ATOMIC LAYER
摘要 <p>본 발명은다수장의 대면적 기판을 챔버 내에 층상 흐름 간격으로 로딩한 상태에서 원자층 증착 공정을 연속적으로 수행할 수 있는 원자층 증착장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 원자층 증착장치는, 원자층 증착 공정이 이루어지는 공정 챔버; 상기 공정 챔버 내부에 다수장의 기판을 층상 흐름 간격으로 적재하는 기판 적재부; 상기 공정 챔버의 일측벽에 형성되며, 기판 반출입 공간을 제공하는 게이트부; 상기 공정 챔버의 마주보는 양 측벽에 설치되어, 상기 공정 챔버 내부에 적재되는 다수장의 기판에 대하여 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급부; 상기 공정 챔버의 후방에 설치되며, 상기 공정 챔버 내부의 기체를 흡입하여 배출하는 배기 수단;을 포함한다.</p>
申请公布号 KR101573689(B1) 申请公布日期 2015.12.02
申请号 KR20140001246 申请日期 2014.01.06
申请人 주식회사 엔씨디 发明人 신웅철;최규정;백민
分类号 C23C16/448;C23C16/455 主分类号 C23C16/448
代理机构 代理人
主权项
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