发明名称 有機アミノシラン前駆体からの酸化ケイ素膜の製造方法
摘要 <p>A silicon oxide layer is deposited on a substrate by chemical vapor deposition (CVD) by reacting an organoaminosilane precursor, selected from specified categories, with an oxidizing agent under conditions for the formation of a silicon oxide film. Diisopropylaminosilane is the preferred organoaminosilane precursor for the formation of the silicon oxide film.</p>
申请公布号 JP5827352(B2) 申请公布日期 2015.12.02
申请号 JP20140018171 申请日期 2014.02.03
申请人 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAIR PRODUCTS AND CHEMICALS INCORPORATED 发明人 ハーレッシュ スリダンダム;マンチャオ シャオ;シンジャン レイ;トーマス リチャード ガフネイ
分类号 H01L21/316;C23C16/42;H01L21/768;H01L23/532 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
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