发明名称 |
有機アミノシラン前駆体からの酸化ケイ素膜の製造方法 |
摘要 |
<p>A silicon oxide layer is deposited on a substrate by chemical vapor deposition (CVD) by reacting an organoaminosilane precursor, selected from specified categories, with an oxidizing agent under conditions for the formation of a silicon oxide film. Diisopropylaminosilane is the preferred organoaminosilane precursor for the formation of the silicon oxide film.</p> |
申请公布号 |
JP5827352(B2) |
申请公布日期 |
2015.12.02 |
申请号 |
JP20140018171 |
申请日期 |
2014.02.03 |
申请人 |
エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAIR PRODUCTS AND CHEMICALS INCORPORATED |
发明人 |
ハーレッシュ スリダンダム;マンチャオ シャオ;シンジャン レイ;トーマス リチャード ガフネイ |
分类号 |
H01L21/316;C23C16/42;H01L21/768;H01L23/532 |
主分类号 |
H01L21/316 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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