一种缩短扩散工艺时间增加扩散产能的方法

摘要

本发明公开了一种缩短扩散工艺时间增加产能的方法，属于光伏技术领域。将扩散后氧化步、推进步和冷却步的时间适当降低，适当增加扩散温度，这样缩短了扩散工艺时间，增加了扩散产能，降低了扩散成本，同时光电转换效率也没有下降。

主权项

一种缩短扩散工艺时间增加扩散产能的方法，其特征在于，使用的硅片是电阻率为0.5~3 Ω▪cm的156mm×156mm规格的P型多晶硅片，常规酸制绒后再进行扩散，扩散设备采用荷兰TEMPRESS扩散炉，具体步骤为：（1）进入：温度815 ℃，大N₂流量5 slm，O₂流量0 sccm，小N₂流量0 sccm，压力15 Pa，时间8 min；（2）进桨：温度815 ℃，大N₂流量5 slm，O₂流量0 sccm，小N₂流量0 sccm，压力15 Pa，时间8 min；（3）检漏：温度815 ℃，大N₂流量6.5 slm，O₂流量0 sccm，小N₂流量0 sccm，压力‑200 Pa，时间5 min；（4）升温：温度815 ℃，大N₂流量9.0 slm，O₂流量0 sccm，小N₂流量0 sccm，压力10 Pa，时间15 min；（5）前氧化：温度805 ℃，大N₂流量12.0 slm，O₂流量1000 sccm，小N₂流量0 sccm，压力10 Pa，时间2 min；（6）沉积：温度805 ℃，大N₂流量12.0 slm，O₂流量350 sccm，小N₂流量950 sccm，压力10 Pa，时间15 min；（7）后氧化：温度825 ℃，大N₂流量12.0 slm，O₂流量500 sccm，小N₂流量50 sccm，压力10 Pa，时间8 min；（8）推进：温度845 ℃，大N₂流量12.0 slm，O₂流量4500 sccm，小N₂流量0 sccm，压力10 Pa，时间9 min；（9）冷却：温度800 ℃，大N₂流量12.0 slm，O₂流量0 sccm，小N₂流量0 sccm，压力10 Pa，时间1 min；（10）进桨：温度800 ℃，大N₂流量5.0 slm，O₂流量0 sccm，小N₂流量0 sccm，压力5 Pa，时间8 min；（11）退出：温度800 ℃，大N₂流量5.0 slm，O₂流量0 sccm，小N₂流量0 sccm，压力5 Pa，时间13 min。