一种基于MEMS微结构硅的Si-PIN四象限光电探测器及其制备方法

摘要

一种基于MEMS微结构硅的Si-PIN四象限光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述四象限光电探测器的每个象限的Si-PIN光电探测器包括硅本征衬底1、位于硅本征衬底正面上方的P型区4、位于硅本征衬底正面上方四周的环形P⁺区3、位于硅本征衬底下方的N型MEMS微结构硅层区2、位于P型区和P⁺区上表面两侧的上电极5，以及位于N型MEMS微结构硅层区下表面的下电极6。每个单元探测器件通过隔离槽隔开，可以有效减小象限间的信号串扰。本发明比传统Si-PIN四象限光电探测器具有响应度高、响应波段范围宽、象限间信噪比大等特点，可拓展Si-PIN四象限光电探测器的功能和使用范围，满足大规模市场化应用的需求。

主权项

一种基于MEMS微结构硅的Si‑PIN四象限光电探测器，包括位于直角坐标中不同象限区的4个性能相同的单元光电探测器，其特征在于：单元光电探测器包括从下至上依次设置的下电极（6）、N型MEMS微结构硅层（2）、硅本征衬底（1），硅本征衬底（1）上设置有P型区（4），和环形P⁺区（3），还包括设置在P型区（4）和P⁺区（3）上表面的上电极（5）。