| 发明名称 | 氧化物半导体靶材、氧化物半导体膜及其制造方法、以及薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化物半导体靶材，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体包含锌、锡、氧、以及相对于氧化物烧结体的总质量的含有比为0.005质量％～0.2质量％的铝，且硅相对于所述氧化物烧结体的总质量的含有比小于0.03质量％。 | ||
| 申请公布号 | CN105121694A | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201480020520.7 | 申请日期 | 2014.04.10 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | 发明人 | 内山博幸;福岛英子 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种氧化物半导体靶材，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体包含锌、锡、氧、以及相对于氧化物烧结体的总质量的含有比为0.005质量％～0.2质量％的铝，且硅相对于所述氧化物烧结体的总质量的含有比小于0.03质量％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||